En este trabajo se presenta la síntesis nitruro de silicio con nanocristales de silicio embebidos (nc-Si). Las muestras se crecieron en forma de películas delgadas en un equipo de depósito de vapores químicos asistido por plasma (PECVD). Para el crecimiento de las películas se modificó la presión en la cámara de depósito y la potencia de la radiofrecuencia (RF). Se analizó como influyen algunos los parámetros de depósito sobre la composición, la estructura y las propiedades ópticas de estas películas. Se caracterizaron las propiedades estructurales de este sistema por microscopía electrónica de trasmisión de alta resolución y por fotoluminiscencia (PL) se determinaron las propiedades ópticas. En el presente documento se discute la influencia de la potencia de la RF en el tamaño de nc-Si y cómo repercute en las propiedades ópticas del nitruro de silicio.